Структура электрического поля приземного слоя атмосферы в условиях нестационарной турбулентности под действием глобального грозового генератора
Д.В. ТИМОШЕНКО
Южный федеральный университет, Институт компьютерных технологий и информационной безопасности, Таганрог, Россия dmitrytim@yandex.ru
Ключевые слова: приземный электродный слой, атмосфера, турбулентная диффузия, грозовой генератор, электрическое поле
Страницы: 392-398
Аннотация
Особенностью исследования электрического поля в приземном слое атмосферы является согласованное проведение измерений и последующая интерпретация полученных данных с целью корректного выделения возмущений локального происхождения и глобальных вариаций электрического поля и оценки их влияния на характеристики приземного слоя. Для решения проблемы интерпретации результатов атмосферно-электрических измерений необходима математическая модель, позволяющая однозначно связать возмущения глобального и локального характера с измеряемой величиной. В настоящей работе рассматривается одна из возможных реализаций такой модели в виде уравнения полного тока, описывающего суточную динамику напряженности электрического поля в приземном слое. Исследована пространственно-временная структура турбулентного приземного слоя атмосферы, формирующаяся под действием глобальной унитарной вариации потенциала ионосферы и локального турбулентного генератора, обладающего независимой суточной динамикой. Работа обобщает исследования суточных вариаций напряженности электрического поля в приземном слое для случаев постоянного полного тока на верхней границе этого слоя. Рассчитаны вертикальные профили напряженности электрического поля, плотности тока проводимости и турбулентного тока в различные моменты времени в течение суток. Установлена их зависимость от степени турбулентного перемешивания в приземном слое атмосферы. Результаты расчетов будут полезны при анализе данных наземных атмосферно-электрических наблюдений.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее