СВОЙСТВА АНОДНО-ОКИСЛЕННЫХ ПЛЁНОК КРЕМНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО БОЛЬШИМИ ДОЗАМИ ИОНОВ CO+
И.Е. Тысченко, Е.В. Спесивцев, Ж.В. Смагина, И.В. Попов, В.П. Попов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
tys@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремний, SiO, CO, ионная имплантация, анодное окисление, микропоры
Страницы: 99-105
Аннотация
Изучены свойства анодно-окисленных слоёв кремния, имплантированного ионами CO+ с энергией 90 кэВ в зависимости от дозы ионов в диапазоне от 2,5 х 1015 до 3 х 1016 см-2. После имплантации ионов образцы были отожжены при температуре 700 °C в течение 1 ч в атмосфере паров N2. Анализ окисленных слоёв проводился с помощью спектральной эллипсометрии, атомно-силовой микроскопии и инфракрасной спектроскопии. Коэффициент преломления окисленных слоёв превышал его значение в термически выращенном SiO2 и уменьшался от 1,58 до 1,52 с ростом дозы ионов СО+ от 2,5 х 1015 до 1 х 1016 см-2. По мере роста дозы ионов CO+ в плёнках анодного окисла наблюдалось увеличение инфракрасного поглощения на молекулах CO2. Дозовая зависимость коэффициента преломления анодно-окисленных слоёв обсуждается с точки зрения формирования микропустот в оксиде кремния при испарении молекул СО2.
DOI: 10.15372/AUT20260110 |
