ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАНГАНИНА ПРИ ВЫСОКИХ ДАВЛЕНИЯХ И ТЕМПЕРАТУРАХ ДИНАМИЧЕСКОГО НАГРУЖЕНИЯ
А.А. Голышев, А.М. Молодец
Федеральный исследовательский центр проблем химической физики и медицинской химии РАН, Черноголовка, Россия golyshev@icp.ac.ru
Ключевые слова: манганин, электросопротивление, гистерезис, высокое давление, уравнения состояния, ударные волны, математическое моделирование, гидрокод
Страницы: 120-133
Аннотация
Исследована объемно-температурная зависимость удельного электросопротивления манганина в области давлений 5 ÷ 70 ГПа и температур 300 ÷ 1 000 К ступенчатого ударного сжатия. Измерено электросопротивление манганиновых образцов в условиях динамического нагружения плоскими одномерными ударными волнами. Разработаны термическое и калорическое уравнения состояния манганина, с использованием которых реконструирована объемно-температурная зависимость удельного электросопротивления ударно-сжатого манганина. В предположении обратимости удельного электросопротивления металла сформулирована полуэмпирическая модель изменения удельного электросопротивления манганина при сжатии и разгрузке, включая эффект гистерезиса манганинового датчика.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее