ОПТИЧЕСКИЕ ФОНОНЫ В НАНОКРИСТАЛЛАХ InSb, ИОННО-СИНТЕЗИРОВАННЫХ НА ГРАНИЦЕ РАЗДЕЛА Si/SiO2 СТРУКТУР КРЕМНИЙ-НА-ИЗОЛЯТОРЕ
Ж. Чжан1,2, И.Е. Тысченко1, А.К. Гутаковский1, В.А. Володин1,2, В.П. Попов1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sangexiaoshagua@gmail.com
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
volodin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: ионная имплантация, SiO, InSb, нанокристаллы, оптические фононы
Страницы: 96-102
Аннотация
Изучены свойства оптических фононов в нанокристаллах InSb, ионно-синтезированных на границе раздела Si/SiO2 структуры кремний-на-изоляторе (КНИ). Формирование нанокристаллов InSb происходило в результате диффузии атомов In и Sb из имплантированных областей SiO2 и Si к границе сращивания структуры КНИ при температурах отжига 1000 и 1100 °C в течение 0,5-5 ч. Спектры комбинационного рассеяния света возбуждались излучением лазера с длиной волны λex = 514, 5 нм при комнатной температуре. В спектрах отожжённых структур наблюдались полосы рассеяния, положение которых соответствовало TO- и LO-модам в InSb. Обнаружен эффект высокочастотного смещения TO- и LO-мод в нанокристаллах InSb, который имел обратную зависимость от времени отжига по мере увеличения температуры. Природа наблюдаемого эффекта связывается с деформациями в нанокристаллах. В нанокристаллах, формирующихся после отжига при температуре 1000 °C, присутствуют негидростатические деформации, а после отжига при 1100 °C деформации наблюдаются лишь на начальных стадиях роста и близки к гидростатическим.
DOI: 10.15372/AUT20250309 |
