Влияние толщины пленки аморфного германия на процесс золото-индуцированной кристаллизации
А.О. Замчий1, В.А. Непомнящих1,2, В.О. Константинов1, Е.М. Старинская1, В.А. Володин2,3, Е.А. Баранов1
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия
zamchiy@gmail.com
2Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, Новосибирск, Россия
v.nepomnyashchikh@g.nsu.ru
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
v.volodin@g.nsu.ru
Ключевые слова: тонкие пленки, индуцированная золотом кристаллизация, поликристаллический германий, хиллоки
Страницы: 1207-1213
Аннотация
Представлены результаты экспериментального исследования по золото-индуцированной кристаллизации тонких пленок аморфного германия (a-Ge). Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической микроскопии изучено влияние исходной толщины пленки a-Ge на морфологию материала, полученного в результате отжига бислойных структур Au/a-Ge. Рассмотрены соотношения толщин a-Ge/Au, равные 1,1 и 2,3. Низкотемпературный отжиг образцов в компоновке «кварц/Au/a-Ge» был осуществлен в атмосфере высокого вакуума (10-4 Па) при температуре 300 °С в течение 24 ч. Метод спектроскопии КРС показал, что отжиг образцов привел к полной кристаллизации a-Ge c образованием поликристаллического германия (poly-Ge) как в нижнем, так и в верхнем слое образцов. Для образца с a-Ge/Au = 2,3 в результате реализации механизма обмена слоями была получена сплошная пленка poly-Ge на подложке, при этом в верхнем слое образца сформировались хиллоки poly-Ge за счет кристаллизации a-Ge в присутствии Au. Для образца с a-Ge/Au = 1,1 в нижнем слое сформировалась несплошная пленка poly-Ge cо степенью покрытия 30 %. В верхнем слое образца в результате процессов «взрывной» кристаллизации, а также вторичной кристаллизации, индуцированной Au, формируется материал poly-Ge.
|
