УСИЛЕНИЕ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА В НАНОПРОВОЛОКАХ GaP С ГАЛЛИЕВОЙ КАПЛЕЙ
А.В. Тараненко1,2, Л.С. Басалаева1, В.В. Фёдоров3, В.С. Тумашев1, А.Г. Милёхин1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
a.taranenko1@g.nsu.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3Санкт-Петербургский Академический университет им. Ж. И. Алфёрова, Санкт-Петербург, Россия
burunduk.uk@gmail.com
Ключевые слова: комбинационное рассеяние света, атомно-силовая микроскопия, нанопроволока, наночастица, фононы
Страницы: 93-100
Аннотация
Представлены результаты исследования структурных и оптических свойств массивов и одиночных нанопроволок (НП) GaP ориентации (111) с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и атомно-силовой микроскопии (АСМ). Массивы НП GaP были выращены на подложке Si(111) методом самокаталитического роста по механизму пар - жидкость - кристалл. Одиночные НП GaP были механически перенесены на золотую поверхность. В спектрах КРС НП GaP наблюдались моды поперечных (TO), продольных (LO) и поверхностных (SO) оптических фононов. Обнаружено поверхностно-усиленное КРС фононными модами GaP вблизи галлиевой капли, обусловленное возникающим локализованным поверхностным плазмонным резонансом в капле. Получены карты КРС НП GaP для различной геометрии рассеяния. Коэффициент усиления сигнала КРС для НП GaP диаметром 104 и 60 нм достигает значений ∼11 и 6 соответственно.
DOI: 10.15372/AUT20240410 |
