Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.133.120.226
    [SESS_TIME] => 1727408428
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 48f9f796078bf31803ff97476461e923
    [UNIQUE_KEY] => c984da00411c6c6173f9e692cd122862
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [VOTE] => Array
        (
            [VOTES] => Array
                (
                )

        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2024 год, номер 4

ВЛИЯНИЕ ВЛАЖНОСТИ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ПРОЦЕСС ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) ЗОНДОМ АСМ

Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sheglov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: атомно-силовая микроскопия, поверхность кремния, локальное анодное окисление
Страницы: 85-92

Аннотация

Исследовано локальное анодное окисление (ЛАО) поверхности Si(111) в контактном режиме работы атомно-силового микроскопа (АСМ) в зависимости от относительной влажности окружающей среды Θ (35-75) % при двух потенциалах U (-8 и -10 В), приложенных к зонду АСМ. Показано, что ЛАО для U = -8 В реализуется при Θ ≥ 40 % в отсутствие роста оксидных линий в ширину, а при U = -10 В их высота и ширина линейно растут во всём интервале значений Θ. Предложена обобщённая модель зависимости процесса ЛАО от U и Θ на основе детального анализа ЛАО и изгиба балки кантилевера при подводе и отводе зонда от поверхности при вариации Θ без напряжения на зонде с учётом данных научной литературы для полуконтактного режима работы АСМ.

DOI: 10.15372/AUT20240409
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину