ВЛИЯНИЕ ВЛАЖНОСТИ И ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА ПРОЦЕСС ЛОКАЛЬНОГО АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТИ Si(111) ЗОНДОМ АСМ
Д.В. Щеглов, Л.И. Федина, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия sheglov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: атомно-силовая микроскопия, поверхность кремния, локальное анодное окисление
Страницы: 85-92
Аннотация
Исследовано локальное анодное окисление (ЛАО) поверхности Si(111) в контактном режиме работы атомно-силового микроскопа (АСМ) в зависимости от относительной влажности окружающей среды Θ (35-75) % при двух потенциалах U (-8 и -10 В), приложенных к зонду АСМ. Показано, что ЛАО для U = -8 В реализуется при Θ ≥ 40 % в отсутствие роста оксидных линий в ширину, а при U = -10 В их высота и ширина линейно растут во всём интервале значений Θ. Предложена обобщённая модель зависимости процесса ЛАО от U и Θ на основе детального анализа ЛАО и изгиба балки кантилевера при подводе и отводе зонда от поверхности при вариации Θ без напряжения на зонде с учётом данных научной литературы для полуконтактного режима работы АСМ.
DOI: 10.15372/AUT20240409 |