Главная – Журналы – Автометрия 2024 номер 4

Приведены результаты по миниатюризации структур кремний-на-изоляторе (КНИ) и элементов КНИ интегральных схем (ИС). Для повышения производительности ИС требовалось увеличить барьеры и тянущие электрические поля за счёт диэлектриков high-k и наноразмеров, что приводило к заметному снижению подвижности носителей заряда при уменьшении длины и толщины канала. Это, наряду с ростом утечки из-за туннельных токов исток/сток, ограничило физическую длину канала 10 нм даже при замене кремния двумерными материалами, такими как графен и дихалькогениды металлов. Трёхмерная интеграция в форме двухзатворных транзисторов с полным обеднением в структурах КНИ с high-k скрытым диэлектриком (h-k ВОХ) в виде так называемых ребристых транзисторов (FinFET) с двумя-четырьмя (опоясывающими - GAA) затворами и каналами из нанопроводов (NW FET), нанолистов (NS FET), нановилок (FS FET), 2D -материалов и их 3D -упаковки позволила увеличить число транзисторов на чипе, но не их производительность. В качестве альтернативы рассмотрен вариант роста функциональности элементов заменой диэлектриков в конденсаторах и транзисторах сегнетоэлектриками, а резисторов - мемристорами, что ведёт к переходу от двоичной к нейроморфной логике, а также к реализации принципов радиофотоники, квантовых устройств и сенсоров с параллельной обработкой. Динамически регулируемый порог и поляризация подзатворных сегнетоэлектриков комплементарных МОП-транзисторов в гетеросистемах-на-кристалле сохранят сверхнизкое энергопотребление.