Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.119.235.106
    [SESS_TIME] => 1727408529
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 589ce221337b7b0e4573664558b9e159
    [UNIQUE_KEY] => 4c45551ed2c8ea566640d314a537fa42
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2024 год, номер 4

ГОФРИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОМЕМБРАНЫ НА ОСНОВЕ НАПРЯЖЁННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР: ФОРМИРОВАНИЕ И МАГНИТОТРАНСПОРТ

В.А. Селезнев, С.В. Голод, А.Б. Воробьёв, Е.В. Козик, А.В. Принц, В.Я. Принц
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
seleznev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: наномембрана SiGe/Si, гофрировка, трёхмерные микро- и нанооболочки, магнитотранспорт
Страницы: 47-54

Аннотация

Работа посвящена фундаментальным исследованиям в области наномеханики гофрированных полупроводниковых наномембран из напряжённых гетероструктур. Приводятся результаты исследования магнитотранспорта двумерного электронного газа в гофрированной наномембране из гетероплёнки GaAs/InGaAs.

DOI: 10.15372/AUT20240406
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину