ГОФРИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОМЕМБРАНЫ НА ОСНОВЕ НАПРЯЖЁННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР: ФОРМИРОВАНИЕ И МАГНИТОТРАНСПОРТ
В.А. Селезнев, С.В. Голод, А.Б. Воробьёв, Е.В. Козик, А.В. Принц, В.Я. Принц
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия seleznev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: наномембрана SiGe/Si, гофрировка, трёхмерные микро- и нанооболочки, магнитотранспорт
Страницы: 47-54
Аннотация
Работа посвящена фундаментальным исследованиям в области наномеханики гофрированных полупроводниковых наномембран из напряжённых гетероструктур. Приводятся результаты исследования магнитотранспорта двумерного электронного газа в гофрированной наномембране из гетероплёнки GaAs/InGaAs.
DOI: 10.15372/AUT20240406 |