Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.139.104.39
    [SESS_TIME] => 1727408654
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => cc26bbfb2608af958c84f4fbab18a212
    [UNIQUE_KEY] => 6066725407d63492d1ab0c44025adbeb
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2024 год, номер 4

СТРУКТУРА И СВОЙСТВА ВЕРТИКАЛЬНО ОРИЕНТИРОВАННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК, ВЫРАЩЕННЫХ НА ПОВЕРХНОСТИ ОКСИДА ГАФНИЯ

Д.В. Щеглов, С.В. Родякин, Д.А. Насимов, Н.Н. Курусь, А.С. Боровик, В.А. Селезнев, Л.И. Федина, Д.И. Рогило, О.И. Семенова, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
sheglov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: углеродные нанотрубки, рост, оксид гафния
Страницы: 38-46

Аннотация

Методом каталитического химического осаждения из газовой фазы впервые выращены массивы вертикально ориентированных углеродных нанотрубок (ВОУНТ) на поверхности Si/HfO2/Fe высотой от 25 до 100 мкм и удельным сопротивлением от 1,5 до 4 Ом · см. Рост ВОУНТ на оксиде гафния наблюдается в интервале температур 625-725 ° C, а при T ≥ 750 ° C не реализуется. При этом температурная зависимость скорости роста ВОУНТ характеризуется величиной ~1,5 эВ. С использованием высокоразрешающей сканирующей электронной микроскопии и спектроскопии комбинационного рассеяния света показано доминирующее присутствие в массиве нанотрубок с диаметрами от 1 до 10 нм. Обнаружено, что нанокристаллизация HfO2 при отжиге подложек затрудняет СЭМ-анализ каталитических частиц Fe, размер которых на поверхности исходного аморфного HfO2 составляет 2-5 нм.

DOI: 10.15372/AUT20240405
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину