Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.14.132.178
    [SESS_TIME] => 1732186405
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 805fa915ca47a47a6ec0a9deb56b486b
    [UNIQUE_KEY] => dcb062a74102ec7bc685ba9034dbd008
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2024 год, номер 4

МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕРМАНИЯ НА Si(001) ДЛЯ ФОТОДЕТЕКТОРОВ СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА 1,31-1,55 МКМ

К.Б. Фрицлер1, А.С. Дерябин1, И.Д. Лошкарев1, А.И. Никифоров1, И.Б. Чистохин1, А.В. Колесников1, А.П. Василенко1, О.П. Пчеляков1, Л.В. Соколов1, К.Э. Певчих2, В.В. Светиков2, А.К. Гутаковский1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
kbf@isp.nsc.ru
2Акционерное общество «Зеленоградский нанотехнологический центр», Москва, Россия
k.pevchikh@yandex.ru
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, фотодетекторы, эпитаксиальные слои Ge на Si, пронизывающие дислокации
Страницы: 14-19

Аннотация

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии сформированы фоточувствительные слои германия на кремниевой подложке. Исследованы структурные, оптические и фотоэлектрические характеристики плёнок. Полученные данные подтверждают возможность использования изготовленных гетероструктур Ge на Si для создания фотодетекторов спектрального диапазона 1,3-1,55 мкм.

DOI: 10.15372/AUT20240402
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину