СКАЛЫВАНИЕ ТВЁРДЫХ ПЛЁНОК СУБМИКРОННОЙ ТОЛЩИНЫ КАК МЕТОД ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОПЕРЕЧНЫХ СРЕЗОВ ГЕТЕРОСТРУКТУР ДЛЯ ПРОСВЕЧИВАЮЩЕЙ МИКРОСКОПИИ ВЫСОКОГО РАЗРЕШЕНИЯ
А.Б. Воробьёв, А.К. Гутаковский, В.Я. Принц
"Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия alex@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: просвечивающая электронная микроскопия, атомное разрешение, свободная тонкая плёнка, поперечный срез, хрупкая трещина, скалывание
Страницы: 3-13
Аннотация
Подробно описан метод препарирования, позволяющий получить бездефектные поперечные срезы гетероструктур для просвечивающей электронной микроскопии и обеспечивающий достижение атомного разрешения на большой площади. Метод проиллюстрирован примерами изучения гетерограниц сложной формы, селективного окисления и селективного травления сверхрешёток.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее