Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 2880
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [PASSWORD_CHECK_WEAK] => N
                    [PASSWORD_CHECK_POLICY] => N
                    [PASSWORD_CHANGE_DAYS] => 0
                    [PASSWORD_UNIQUE_COUNT] => 0
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_TIME] => 0
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.139.83.202
    [SESS_TIME] => 1743464725
    [IS_EXPIRED] => 
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [SESS_SHOW_INCLUDE_TIME_EXEC] => 
    [fixed_session_id] => ca424d4051e0e18db0a2fb36be06bd67
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2024 год, номер 2

"ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ИК-ФОТОПРИЁМНИКОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР InSb/In1-xAlxSb"

"М.А. Суханов, М.С. Аксенов, А.К. Бакаров, И.Д. Лошкарев, К.С. Журавлев"
"Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
msukhanov@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: ИК-фотоприёмники, InSb, пассивация, темновой ток
Страницы: 66-73

Аннотация

Исследованы способы пассивации мезаструктур фотоприёмников на основе nBn-гетероструктур InSb/In1-xAlxSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Мезаструктуры сформированы методами фотолитографии и жидкостного травления. Для пассивации поверхности мезаструктур использовались два различных диэлектрика Al2O3 и Si3N4. Показано, что диэлектрик Si3N4 эффективно пассивирует поверхность мезаструктур, и объёмный канал протекания тока является преобладающим, в мезаструктурах, пассивированных Al2O3, доминирует поверхностный ток утечки. При малых обратных смещениях корреляция между величиной тока и площадью мезаструктуры нарушается, что обусловлено влиянием дефектов. Моделирование вольт-амперных характеристик мезаструктур при 77 К показывает, что основной вклад в темновой ток вносит туннельный ток электронов через барьер In1-xAlxSb.

DOI: 10.15372/AUT20240208
EDN: EITXKA
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину