ПАССИВАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ ИК-ФОТОПРИЁМНИКОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР InSb/In1-xAlxSb
М.А. Суханов, М.С. Аксенов, А.К. Бакаров, И.Д. Лошкарев, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия msukhanov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: ИК-фотоприёмники, InSb, пассивация, темновой ток
Страницы: 66-73
Аннотация
Исследованы способы пассивации мезаструктур фотоприёмников на основе nBn-гетероструктур InSb/In1-xAlxSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Мезаструктуры сформированы методами фотолитографии и жидкостного травления. Для пассивации поверхности мезаструктур использовались два различных диэлектрика Al2O3 и Si3N4. Показано, что диэлектрик Si3N4 эффективно пассивирует поверхность мезаструктур, и объёмный канал протекания тока является преобладающим, в мезаструктурах, пассивированных Al2O3, доминирует поверхностный ток утечки. При малых обратных смещениях корреляция между величиной тока и площадью мезаструктуры нарушается, что обусловлено влиянием дефектов. Моделирование вольт-амперных характеристик мезаструктур при 77 К показывает, что основной вклад в темновой ток вносит туннельный ток электронов через барьер In1-xAlxSb.
DOI: 10.15372/AUT20240208 EDN: EITXKA
|