ОПТИМИЗАЦИЯ ТОЛЩИНЫ ОДНОСЛОЙНОГО ПРОСВЕТЛЯЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ ИЗ SiO2 НА КРЕМНИЕВОМ ФОТОДИОДЕ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ ХАРАКТЕРИСТИК ПАДАЮЩЕГО СВЕТА
А.В. Тимофеев1, А.И. Мильштейн1,2, Д.Н. Григорьев1,2,3
1Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера СО РАН, Новосибирск, Россия a.v.timofeev@inp.nsk.su 2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия a.i.milstein@inp.nsk.su 3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия d.n.grigoriev@inp.nsk.su
Ключевые слова: просветляющее покрытие, фотодиод, коэффициент отражения
Страницы: 91-99
Аннотация
Проведены теоретические исследования зависимости оптимальной толщины однослойного просветляющего слоя SiO2 на кремниевом фотодиоде от характеристик падающего на фотодиод света. Показано, что оптимальная толщина однослойного просветляющего SiO2 для различных распределений интенсивности по углу увеличивает квантовую эффективность фотодиода до 1,1 раза по сравнению с классическим однослойным просветляющим покрытием толщиной λ/4n, которое является оптимальным при нормальном падении монохроматического света.
DOI: 10.15372/AUT20230509 |