Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.226.226.158
    [SESS_TIME] => 1733246140
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 773f2fd56cc69cda8b1392305ffd3f7d
    [UNIQUE_KEY] => 0f67658c33f636c44d816311e9364635
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2019 год, номер 6

МОДЕЛЬ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ВОЛЬТ-АМПЕРНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ЛИНЕЙКИ ЛАЗЕРНЫХ ДИОДОВ

А.Н. Апарников, Е.В. Бурый, Н.Е. Орлов
Московский государственный технический университет им. Н. Э. Баумана, Москва, Россия
alexander.aparnikov@gmail.com
Ключевые слова: линейка лазерных диодов, температура, вольт-амперная характеристика, разность потенциалов, laser diode bar, temperature, current-voltage characteristic, electric potential difference
Страницы: 48-54

Аннотация

На основании анализа отличий результатов экспериментальных измерений зависимости вольт-амперной характеристики (ВАХ) линейки лазерных диодов (ЛД) на базе гетероструктуры AlGaAs/GaAs от температуры и отсчётов этой зависимости, полученных в соответствии с известной моделью ВАХ светоизлучающих диодов, сделано предположение об источниках обнаруженных несоответствий. Учёт в модели изменений сопротивлений слоёв структуры ЛД, вызванных температурой, позволил заметно улучшить соответствие экспериментальных и модельных результатов. Показано, что измеренную величину падения напряжения на линейке ЛД при известной амплитуде протекающего тока можно использовать для оценки температуры активной области ЛД при построении систем термостабилизации, в том числе в твердотельных лазерах с системой накачки активного элемента на основе линеек ЛД.

DOI: 10.15372/AUT20190606