СОЗДАНИЕ АНАЛОГО-ЦИФРОВЫХ КРЕМНИЕВЫХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ СИГНАЛОВ ФОТОПРИЁМНИКОВ ИНФРАКРАСНОГО ДИАПАЗОНА
М.А. Демьяненко, А.И. Козлов, И.В. Марчишин, В.Н. Овсюк
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
demyanenko@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремниевый мультиплексор, интегральная схема считывания фотосигналов, инфракрасный фотоприёмник, фотодиод на основе соединения кадмий-ртуть-теллур, фотодетектор на основе многослойных структур с квантовыми ямами, silicon multiplexer, integrated circuit for photosignal reading, infrared photodetector, photodiode based on the cadmium-mercury-tellurium compound, photodetector based on multilayer structures with quantum wells
Страницы: 120-127
Подраздел: ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ И ИНФОРМАЦИОННО-ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ СИСТЕМЫ
Аннотация
Рассмотрены особенности построения аналого-цифровых интегральных схем считывания фотосигналов гибридных многоэлементных инфракрасных фотоприёмников (кремниевых мультиплексоров). Проведена оценка эквивалентной шуму разности температур инфракрасных фотоприёмников на базе мультиплексоров с кадровым и построчным накоплением сигналов фоточувствительных элементов спектральных диапазонов 8-14 и 3-5 мкм. Разработаны кремниевые мультиплексоры для инфракрасных фотоприёмников, создаваемых с применением фотодиодов на основе соединения кадмий-ртуть-теллур и фотодетекторов на многослойных структурах с квантовыми ямами. Изготовленные мультиплексоры обеспечивают возможность использования матричных и линейчатых фотоприёмных кристаллов, в том числе имеющих повышенные темновые токи, для производства инфракрасных фотоприёмников с температурным разрешением, соответствующим уровню мировых образцов.
DOI: 10.15372/AUT20160615 |
