ОТРИЦАТЕЛЬНОЕ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ В МОЩНЫХ ЛАЗЕРНЫХ InGaN/GaN–ДИОДАХ
В.Т. Шамирзаев1, В.А. Гайслер1,2, Т.С. Шамирзаев2,3
1Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
tim@isp.nsc.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
haisler@isp.nsc.ru
3Уральский федеральный университет, 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19
Ключевые слова: лазерный диод, отрицательное дифференциальное сопротивление
Страницы: 31-36
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Демонстрируется отрицательное дифференциальное сопротивление в ультрафиолетовых лазерных InGaN/GaN-диодах. Переключение между нижней и верхней ветвями S-образной вольт-амперной характеристики приводит к изменению мощности оптического излучения на шесть порядков при увеличении тока от 3 до 15 мА. Появление отрицательного дифференциального сопротивления объясняется сверхлинейной инжекцией носителей заряда одного знака в высокоомную квантовую InGaN-яму.
DOI: 10.15372/AUT20160505
|
