ОПТИМИЗАЦИЯ СТРУКТУРЫ ТРЁХПЕРЕХОДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА GaInP/GaAs/Ge СО ВСТРОЕННЫМ БРЭГГОВСКИМ ОТРАЖАТЕЛЕМ Al0,1Ga0,9As/Al0,8Ga0,2As
А.Ф. Скачков
Открытое акционерное общество «Сатурн», 350040, г. Краснодар, ул. Солнечная, 6 afskachkov@mail.ru
Ключевые слова: солнечные элементы, брэгговский отражатель, радиационная стойкость
Страницы: 122-126 Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Аннотация
Проведена оптимизация структуры трёхпереходного солнечного элемента (СЭ) GaInP/GaAs/Ge со встроенным брэгговским отражателем (БО), в результате которой были снижены потери прошедшего (отражённого) излучения в слоях туннельного диода. Получена оптимизированная структура СЭ с БО методом МОС–гидридной эпитаксии. Изготовлены образцы фотопреобразователей размером 20 × 30 мм. Проведены испытания образцов СЭ с БО и без БО при воздействии потоков электронов с энергией 1 МэВ. Показано, что введением брэгговского отражателя в структуру солнечного элемента и уменьшением толщины базы среднего p–n-перехода можно увеличить радиационную стойкость СЭ.
|