Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

ВЛИЯНИЕ СПИНОВОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ ЭКСИТОНОВ НА ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ГЕТЕРОСТРУКТУР GaAs/AlGaAs

Е.В. Кожемякина, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
kozhemyakina@isp.nsc.ru
Ключевые слова: арсенид галлия, экситоны, нестационарная фотолюминесценция, формирование экситонов, обменное взаимодействие
Страницы: 87-92
Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ

Аннотация

Рассматриваются проблемы эволюции энергетического положения максимума линии фотолюминесценции свободных экситонов в высококачественных гетероструктурах GaAs/AlGaAs после оптического возбуждения короткими лазерными импульсами при высоких уровнях оптического возбуждения 5 · 1014–2 · 1018 см-3. Обсуждается влияние экранирования кулоновского и межэкситонного обменного взаимодействий. Данные эффекты давали поправки к энергии уровня свободных экситонов разного знака, при этом второй эффект был чувствителен к степени ориентации спинов экситонов и проявлялся в расщеплении положений максимума энергии экситонов с проекциями углового момента +1 и –1. Величина расщепления пропорциональна плотности экситонов и степени их циркулярной поляризации и достигает 1,5 мэВ.
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять