Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 3

АНАЛИЗ СВЧ–ПОТЕРЬ В ГЕТЕРОСТРУКТУРНЫХ pin–ДИОДАХ AlGaAs/GaAs

А.К. Шестаков, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
shestakov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: pin-диод, СВЧ, вносимые потери
Страницы: 74-81
Подраздел: ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ СВЧ-ЭЛЕКТРОНИКИ И СПИНТРОНИКИ

Аннотация

С помощью численного моделирования исследована зависимость величины вносимых СВЧ–потерь от параметров структуры гетеростуктурного pin–диода. Определены механизмы возникновения этих потерь и выявлен механизм, оказывающий на потери наибольшее влияние.
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять