ЭЛЕКТРОН–ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ И КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА В ЛЕГИРОВАННЫХ СВЕРХРЕШЁТКАХ GaAs/AlAs
В.А. Володин1,2 1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13 volodin@isp.nsc.ru 2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
Ключевые слова: фононы, плазмоны, локализация, комбинационное рассеяние света
Страницы: 68-73 Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ФОТОННЫХ УСТРОЙСТВ НА ОСНОВЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация
С применением метода спектроскопии комбинационного рассеяния света исследовано взаимодействие фононов и свободных носителей заряда в легированных полупроводниковых наноструктурах (сверхрешётках). В легированных сверхрешётках на основе полярных полупроводников коллективные колебательные моды свободных носителей заряда (плазмоны) экранируют дальнодействующее кулоновское взаимодействие катионов и анионов, что приводит к образованию смешанных фонон-плазмонных мод. Исследована угловая дисперсия (анизотропия) фонон-плазмонных мод в легированных сверхрешётках GaAs/AlAs. Наблюдаемая анизотропия обусловлена анизотропией диэлектрической проницаемости в сверхрешётках.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее