МЕЖУРОВНЕВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ ПЕРЕХОДЫ В КВАНТОВЫХ ЯМАХ Si/GexSi1 - x/S
А.А. Блошкин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13 bloshkin@gmail.com
Ключевые слова: квантовые ямы, гетероструктуры Ge/Si, оптическое поглощение
Страницы: 47-55 Подраздел: ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА, ПОЛЕЙ ДЕФОРМАЦИЙ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКОГО СПЕКТРА НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация
Представлены результаты математического моделирования спектра дырок и оптического поглощения в квантовых ямах Si/GexSi1 - x/Si, сформированных на виртуальных подложках GeySi1 - y. Показано, что наличие упругих деформаций в такой системе может существенно изменять положение линии поглощения в гетероструктурах GeSi. Подбором составов квантовой ямы и виртуальной подложки можно добиться изменения длины волны межподуровневого поглощения в диапазоне 6-12 мкм для света, поляризованного в плоскости квантовой ямы. При приложении деформации растяжения изменение интенсивности переходов дырок под влиянием света, поляризованного в плоскости квантовой ямы, достигает 1,8 раза. Деформация сжатия приводит к изменению интенсивности межподзонных переходов в 1,45 раза.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее