Главная – Журналы – Автометрия 2014 номер 3

Представлены результаты математического моделирования спектра дырок и оптического поглощения в квантовых ямах Si/Ge_xSi_{1 - x}/Si, сформированных на виртуальных подложках Ge_ySi_{1 - y}. Показано, что наличие упругих деформаций в такой системе может существенно изменять положение линии поглощения в гетероструктурах GeSi. Подбором составов квантовой ямы и виртуальной подложки можно добиться изменения длины волны межподуровневого поглощения в диапазоне 6-12 мкм для света, поляризованного в плоскости квантовой ямы. При приложении деформации растяжения изменение интенсивности переходов дырок под влиянием света, поляризованного в плоскости квантовой ямы, достигает 1,8 раза. Деформация сжатия приводит к изменению интенсивности межподзонных переходов в 1,45 раза.