АТОМНАЯ СТРУКТУРА ПРОТЯЖЁННЫХ ДЕФЕКТОВ В ИМПЛАНТИРОВАННЫХ БОРОМ СЛОЯХ КРЕМНИЯ
Л.И. Федина1, А.К. Гутаковский1, А.В. Латышев1,2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
fedina@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
latyshev@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: имплантация бора, протяжённые дефекты, дефицит вакансий, ВРЭМ
Страницы: 34-40
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация
С помощью высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и компьютерного моделирования детально исследована структура протяжённых дефектов в Si, возникающих после имплантации бора и отжига при T = 900 ºС в зависимости от дозы имплантации (D) и концентрации узлового бора B0(CB0), введённого в Si до имплантации. Показано, что при D = 1016 см-2 вплоть до CB0 = 0,8 · 1020 см-3 наблюдаются дислокационные петли Франка междоузельного (I) и вакансионного (V) типов в соотношении 4 : 1. Атомная структура петель Франка I-типа сильно деформирована, что указывает на накопление бора в плоскости дефекта в мелкодисперсной форме. В плос-кости петель Франка V -типа отмечается появление реконструкции связей, обусловленной встраиванием собственных междоузельных атомов. При CB0 = 2,5 · 1020 см-3 петли Франка I-типа трансформируются в полные дислокации и возникают преципитаты бора с большой плотностью. На основе представленного анализа обсуждаются причины возникновения дефицита вакансий в имплантированных слоях.
|
