Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика / Journal of Applied Mechanics and Technical Physics

1976 год, номер 6

Модель неупругого рассеяния атома на поверхности кристалла в импульсном приближении

А. Е. Галанов
Новосибирск
Страницы: 145-149

Аннотация

Рассмотрена трехмерная квантовая задача однократного рассеяния атома на простом кристалле. Взаимодействие выбирается в виде суммы парных потенциалов частицы с атомами решетки, гамильтониан кристалла – в гармоническом приближении. Для описания рассеяния впервые использовано импульсное приближение с «квазиклассической связью». Не учитываются интерференционные эффекты. Предложен способ описания сильно неупругого рассеяния. Найден общий вид энергии отдачи, зависящий от динамики поверхности. Предложена модель дисперсии в поверхностном слое, в которой учтены некоторые основные свойства рассеяния фононов на двумерных дефектах. Получено дифференциальное сечение рассеяния, позволяющее найти различные характеристики однократного рассеяния. Результаты содержат все основные исходные параметры задачи в виде приведенных комбинаций. Результаты иллюстрируются рассеянием на жестких сферах. Показано, что однопиковый квазизеркальный характер отражения, наблюдаемый при энергиях падающих частиц до 100 эВ, связан со спецификой отдачи поверхностных центров.