ПРИЁМНИКИ ИЗЛУЧЕНИЯ В ТЕРАГЕРЦОВОМ ДИАПАЗОНЕ НА ОСНОВЕ ПЛЁНОК Pb1–xSnxTe:In
А.Н. Акимов, Д.В. Ищенко, А.Э. Климов, И.Г. Неизвестный, Н.С. Пащин, В.Н. Шерстякова, В.Н. Шумский, В.С. Эпов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
lexa@isp.nsc.ru
Ключевые слова: терагерцовое излучение, переход металл–диэлектрик, локализованные центры в запрещённой зоне, лазер на свободных электронах, макет фотоприёмников
Страницы: 86-92
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ
Аннотация
Приведены результаты экспериментальных исследований плёнок Pb1–xSnxTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с содержанием олова близким к инверсии зон. Определена оптимальная концентрация индия и получены плёнки с x > 0,3, в которых наблюдался так называемый переход металл–диэлектрик. Изготовлены макеты фотоприёмников и проведены измерения фототока при воздействии излучения лазера на свободных электронах в области 140–205 мкм. Даны оценки и показана возможность использования приёмников для регистрации собственного излучения тела, нагретого до температуры 300 К, в пассивном режиме, в том числе и в системах регистрации изображения в терагерцовой области спектра.
|
