СТРУКТУРЫ HgCdTe ДЛЯ ДВУХСПЕКТРАЛЬНЫХ ФОТОПРИЁМНИКОВ ДИАПАЗОНОВ 3–5 И 8–12 мкм
В.С. Варавин, С.А. Дворецкий, Д.Г. Икусов, Н.Н. Михайлов, В.Г. Ремесник, Г.Ю. Сидоров, Ю.Г. Сидоров, П.В. Сизиков, И.Н. Ужаков
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
varavin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: кадмий–ртуть–теллур, молекулярно-лучевая эпитаксия, инфракрасные фотоприёмники
Страницы: 68-77
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ
Аннотация
Разработан дизайн двухслойной гетероструктуры КРТ с фоточувствительными слоями составов xCdTe = 0,29–0,32 и xCdTe = 0,220–0,230, обеспечивающими чувствительность в спектральных диапазонах 3–5 и 8–12 мкм, барьерным слоем между ними и широкозонными варизонными слоями на гетерогранице и поверхности, выращенными на подложке GaAs с буферными слоями ZnTe и CdTe. Контроль процессов роста гетероэпитаксиальной структуры (ГЭС) методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) осуществлялся эллипсометрическим методом в реальном масштабе времени. После выращивания проведено измерение распределения состава по толщине по спектрам отражения при послойном химическом травлении. Наблюдается хорошее соответствие результатов измерений состава с помощью эллипсометрического метода и спектров отражения. Дырочный тип проводимости двухслойных ГЭС КРТ МЛЭ получен после термического отжига при температуре 220–240 ºС в атмосфере инертного газа (гелия) в течение 24 ч. Концентрация дырок в фоточувствительных слоях составляет (4–10) · 1015 см–3 и (8–20) · 1015 см–3 при 78 К.
|
