ФОРМИРОВАНИЕ И СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА КВАНТОВЫХ ТОЧЕК КРЕМНИЯ В ГЕРМАНИИ
Н.П. Степина1, А.Ф. Зиновьева1, А.С. Дерябин1, В.А. Зиновьев1, В.А. Володин1, А.А. Шкляев1, А.В. Двуреченский1, С.В. Гапоненко2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
Stepina@isp.nsc.ru
2Институт физики НАН Беларуси, 220072, г. Минск, просп. Независимости, 68
s.gaponenko@dragov.bas-net.by
Ключевые слова: квантовые точки, кремний, германий, водород
Страницы: 18-24
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация
Проведено исследование процессов формирования квантовых точек Si в Ge. Показано принципиальное различие процессов зарождения и роста квантовых точек на подложках с разной ориентацией, связанное как с образованием слоя твёрдого раствора SiGe, так и с формой квантовых точек. Определён температурный интервал формирования нанокристаллов Si на Ge(111). Показано, что изменение температуры эпитаксии от 480 до 400 ºС приводит к увеличению содержания кремния в квантовых точках от 58 до 75%. Проведён анализ влияния сурфактантов (в частности, водорода) на зарождение и рост наноостровков кремния; продемонстрированы уменьшение размеров квантовых точек и существенное увеличение их плотности при использовании водорода в качестве сурфактанта. Наблюдаемые эффекты объясняются подавлением поверхностной диффузии атомов в присутствии водорода.
|
