РОСТ ГЕТЕРОСТРУКТУР AlGaN/GaN С ДВУМЕРНЫМ ЭЛЕКТРОННЫМ ГАЗОМ НА ПОДЛОЖКАХ AlN/A2O3
Т.В. Малин, В.Г. Мансуров, А.М. Гилинский, Д.Ю. Протасов, А.С. Кожухов, А.П. Василенко, К.С. Журавлев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
mal-tv@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: аммиачная МЛЭ, 2ДЭГ AlGaN/GaN, ТВПЭ GaN, подложки AlN/Al2O3
Страницы: 13-17
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация
Исследована возможность использования подложек AlN/Al2O3 для роста гетероэпитаксиальных структур AlGaN/GaN с двумерным электронным газом. Предложен способ калибровки температуры подложек путём измерения спектров теплового излучения. Установлены различия между подложками AlN/A2O3, приводящие к расхождению электрофизических параметров выращиваемых структур. На подложках AlN/Al2O3 получены образцы AlGaN/GaN, характеризующиеся подвижностью электронов двумерного электронного газа выше 1300 см2/В · с при концентрации электронов в канале более 1 · 1013 см–2.
|
