ФОРМИРОВАНИЕ УПОРЯДОЧЕННЫХ ГРУПП КВАНТОВЫХ ТОЧЕК ПРИ ГЕТЕРОЭПИТАКСИИ Ge/Si
В.А. Зиновьев1, А.В. Двуреченский1, П.А. Кучинская1, В.А. Армбристер1, А.В. Мудрый2
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
zinoviev@isp.nsc.ru
2ГНПО «Научно-практический центр НАН Беларуси по материаловедению», 220072, г. Минск, ул. П. Бровки, 19
mudryi@ifttp.bas-net.by
Ключевые слова: наноструктуры, гетероэпитаксия, квантовые точки, пространственное упорядочение
Страницы: 6-12
Подраздел: ФУНДАМЕНТАЛЬНЫЕ ПРОБЛЕМЫ ЭПИТАКСИИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР
Аннотация
Развит новый подход к созданию упорядоченных в кольца наноостровков Ge при эпитаксии на поверхности гетерофазной структуры, представляющей собой подложку Si(100) с предварительно созданными на ней затравками в виде нанодисков SiGe или наноколец SiGe. Показано, что пространственная конфигурация островков в группе обусловлена зарождением островков в области локальных минимумов плотности упругой энергии на поверхности круговой затравки. На основе предложенного подхода выращены многослойные структуры с вертикально совмещёнными кольцевыми группами квантовых точек. Проведено исследование элементного состава и люминесцентных свойств упорядоченных структур.
|
