Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 2880
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [PASSWORD_CHECK_WEAK] => N
                    [PASSWORD_CHECK_POLICY] => N
                    [PASSWORD_CHANGE_DAYS] => 0
                    [PASSWORD_UNIQUE_COUNT] => 0
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_TIME] => 0
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.16.68.255
    [SESS_TIME] => 1746798968
    [IS_EXPIRED] => 
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [SESS_SHOW_INCLUDE_TIME_EXEC] => 
    [fixed_session_id] => da5801dae8bde230dd106b1a26f90657
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

ГЕОХИМИЯ, МИНЕРАЛОГИЯ И ИСТОЧНИКИ ВЕЩЕСТВА КВАРЦЕВЫХ ЖИЛ И КВАРЦИТОВ ЮЖНОЙ ЧАСТИ ХРЕБТА БОРЩОВОЧНЫЙ (ЗАБАЙКАЛЬЕ)

2013 год, номер 5

π-СИСТЕМА В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ. АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОННОГО РАСПАРИВАНИЯ

А.В. Лузанов
НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины, 61001,Украина, Харьков, пр. Ленина, 60
avluzanov@gmail.com
Ключевые слова: полное конфигурационное взаимодействие, индекс распаривания, бирадикалоидность, ароматичность, антиароматичность
Страницы: 797-804
Подраздел: ТЕОРИЯ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ И ХИМИЧЕСКОЙ СВЯЗИ

Аннотация

В рамках метода полного конфигурационного взаимодействия изучено действие сильного электрического поля на сопряженные π-системы. Поведение систем в поле анализируется с помощью индекса распаривания — числа Neff эффективно распаренных электронов. Для Neff выведены формальные асимптотические правила, отвечающие предельно большим значениям внешнего поля. Подробно изучаются индуцированные полем бирадикалоидные π-состояния.