Об образовании кристаллических фАз и наноструктуры слоев карбонитрида кремния, выращенных НА ПОДЛОЖКах арсенида галлия
Н. И. Файнер, В. И. Косяков, Ю. М. Румянцев, Е. А. Максимовский
Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН
nadezhda@niic.nsc.ru
Ключевые слова: карбонитрид кремния, структура, механизм пар-жидкость-твердое, тонкие пленки, нанокристаллы, подложки арсенида галлия
Страницы: 814-820
Аннотация
Рассматриваются особенности кристаллизации тонких слоев карбонитрида кремния, полученных химическим осаждением из газовой фазы с использованием кремнийорганических веществ-предшественников на подложках из арсенида галлия при 973 K в присутствии капель жидкого галлия. Слои, выращенные по механизму пар-жидкость-твердое (ПЖТ), исследовали методами ИК, КР и энергодисперсионной спектроскопии, растровой электронной микроскопии (РЭМ), рентгенодифракционным анализом с использованием синхротронного излучения (РФА-СИ) с целью получения данных об их химическом и фазовом составе, кристаллической структуре и морфологии поверхности. Высказано предположение о связи их морфологии с механизмом образования зародышей в капле галлия, находящейся на поверхности подложки арсенида галлия.
|
