Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Переход горения в детонацию в бензино-воздушных смесях

2012 год, номер 4

ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА, ПОВЕРХНОСТЬ ФЕРМИ И ХИМИЧЕСКАЯ СВЯЗЬ В НОВОМ СЛОИСТОМ ОКСИСЕЛЕНИДЕ HgCuSeO

В. В. Банников, И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский
Институт химии твердого тела УрО РАН
ivanovskii@ihim.uran.ru
Ключевые слова: слоистый оксиселенид HgCuSeO, электронная структура, химическая связь, FLAPW-GGA, моделирование
Страницы: 647-651

Аннотация

Полнопотенциальным методом FLAPW-GGA впервые изучено электронное строение нового слоистого оксиселенида HgCuSeO с тетрагональной структурой. Получена и проанализирована зонная структура, плотность электронных состояний, поверхность Ферми, эффективные атомные заряды, выполнены оценки коэффициента низкотемпературной теплоемкости и парамагнитной восприимчивости Паули. Показано, что новая слоистая фаза HgCuSeO может быть охарактеризована как немагнитный ионный металл.
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять