ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО GaAs-ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КАНАЛА
А. К. Шестаков, К. С. Журавлев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН shestakov@thermo.isp.nsc.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: ПТШ, моделирование, ионная имплантация
Страницы: 124-128
Аннотация
Проведено моделирование арсенид-галлиевых ионно-легированных полевых транзисторов с затвором Шоттки и различными профилями легирования. Рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзисторов от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзисторов при изменении параметров профиля легирования.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее