ОБРАЗОВАНИЕ НАНОПЛЕНКИ СУЛЬФИДА КАДМИЯ CdS НА ПРЕКУРСОРНОМ СЛОЕ Cd(OH)2/SiO2
А. С. Ворох1, Н. С. Кожевникова2, А. А. Ремпель3, Андреас Магерль4
1 Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург, vorokh@ihim.uran.ru
2 Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург
3 Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург Lehrstühl für Kristallographie und Struktur Physik, Staudstr. 3, Universität Erlangen-Nürnberg 91058
4 Lehrstühl für Kristallographie und Struktur Physik, Staudstr. 3, Universität Erlangen-Nürnberg 91058, magerl.andreas@krist.uni-erlangen.de
Ключевые слова: сульфид кадмия, химическое осаждение, наноструктурированные пленки
Страницы: 1206-1210
Аннотация
Сплошные тонкие наноструктурированные пленки сульфида кадмия CdS, полученные методом химического осаждения из водных растворов, прочно соединяются с подложкой, благодаря образованию в системе гидроксида кадмия Cd(OH)2. Методами рентгеновской рефлектометрии и дифракции под скользящим лучом установлено, что в начальный момент времени осаждения на поверхности кремниевой или стеклянной подложки образуется сплошной слой Cd(OH)2/SiO2. Данный слой формируется путем адсорбции кислородсодержащей поверхностью подложки атомных слоев кристаллической пленки Cd(OH)2 толщиной 1-3 нм. При сульфидизации такого кадмийсодержащего слоя подложки образуется поверхностный ″зародышевый″ слой CdS/Cd(OH)2/SiO2, благодаря которому обеспечивается рост, сплошность и прочное соединение с подложкой наноструктурированной пленки CdS неупорядоченной структуры. В соответствии с полученными экспериментальными данными подтверждена и уточнена ″гидроокисная схема″ осаждения пленок, а также установлены этапы формирования нанопленки CdS.
|
