Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Журнал "Вестник НГУЭУ"

2009 год, номер 5

МОЛЕКУЛЯРНАЯ И КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА ДВУХ ФАЗ 1-ФТОРСИЛАТРАНА. ОСОБЕННОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ ПЛОТНОСТИ

А. А. Корлюков1, М. Ю. Антипин2, М. И. Бузин3, Э. А. Зельбст4, Ю. И. Болгова5, О. М. Трофимова6, М. Г. Воронков7
1 Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
2 Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
3 Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
4 Иркутский государственный педагогический университет
5 Институт элементоорганических соединений им. А.Н. Несмеянова РАН
6 Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО РАН
7 Иркутский институт химии им. А.Е. Фаворского СО РАН, voronkov@irioch.irk.ru
Ключевые слова: 1-фторсилатран, молекулярная структура, рентгеновская дифракция, квантово-химический расчет
Страницы: 911-916

Аннотация

Методом рентгеновской дифракции установлено существование двух фаз 1-фторсилатрана (FSa) и изучены особенности их пространственной структуры. Фазовый переход происходит при 156-158 K и характеризуется низкой энергией. В низкотемпературной фазе четыре кристаллографически независимых молекулы упорядочены, а в высокотемпературной - в одной из двух независимых молекул разупорядочены β-атомы углерода. Проведен квантово-химический расчет кристаллической упаковки низкотемпературной фазы FSa. Оцененная величина прочности координационной связи N→Si в кристалле составляет 29,2 ккал/моль. Распределение зарядов свидетельствует о локализации валентной электронной плотности в области фрагмента O3SiF.
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять