МОДЕЛИРОВАНИЕ РАБОТЫ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОПЕРЕХОДОВ GaAs/AlGaAs
А. К. Шестаков, К. С. Журавлев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова caches@ngs.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: моделирование, гетероструктуры, полевой транзистор Шоттки
Страницы: 66-71
Аннотация
Проведена оптимизация параметров структуры, состоящей из легированного GaAs-канала и AlGaAs-буфера, расположенного между подложкой и каналом, с помощью пакета программно-технологического моделирования Sentaurus TCAD, разработанного фирмой "Synopsys". Показано, что введение этого буфера увеличивает пробивное напряжение и мощность транзистора по сравнению с транзистором на базовой структуре без AlGaAs-буфера. Также показано, что в наибольшей степени на пробивное напряжение транзистора оказывает влияние состав буфера (доля алюминия в твердом растворе AlxGa1-xAs) и что для получения максимального пробивного напряжения буфер должен содержать не менее 18 % алюминия.
|