ИНДУЦИРОВАННОЕ УГЛЕРОДОМ ФОРМИРОВАНИЕ НАНООСТРОВКОВ Ge ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge/Ca2/Si(111)
Л. В. Соколов, А. С. Дерябин, Е. Е. Родякина
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова sokolov@isp.nsc.ru, das@isp.nsc.ru, rodyakina@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: наноостровки, гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия
Страницы: 56-59
Аннотация
Исследовалось самоформирование наноостровков германия на поверхности фторида кальция с помощью атомно-силовой микроскопии и дифракции электронов на отражение. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена структура Ge/CaF2/Si(111). Нанесением субмонослойного покрытия углерода модифицирована поверхность пленки фторида кальция для стимулирования зарождения наноостровков германия. Обнаружена зависимость параметров массива наноостровков от величины покрытия.
|