Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Биологическое действие низкоинтенсивного лазерного излучения: пути регуляции растительного метаболизма. Ч. 2

2008 год, номер 3

СРАВНИТЕЛЬНОЕ ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТЕЙ ПОЛНОЭЛЕКТРОННОГО БАЗИСНОГО НАБОРА И ПСЕВДОПОТЕНЦИАЛА ДЛЯ АТОМА ИОДА В КВАНТОВО-ХИМИЧЕСКИХ РАСЧЕТАХ ИОДСОДЕРЖАЩИХ СОЕДИНЕНИЙ МЕТОДОМ ФУНКЦИОНАЛА ПЛОТНОСТИ

А.Г. Юрьева1, О.Х. Полещук2, В.Д. Филимонов3
1 Томский государственный педагогический университет Томский политехнический университет, yurevaanna@gmail.com
2 Томский государственный педагогический университет
3 Томский политехнический университет
Ключевые слова: квантовая химия, DFT B3LYP/dgdzvp и B3LYP/6-311G(d) квантово-химические методы
Страницы: 567-571

Аннотация

Впервые проведено систематическое исследование расчетных возможностей метода функционала плотности B3LYP в полноэлектронном базисе dgdzvp и с учетом псевдопотенциала для соединений иода. Показано, что в целом полноэлектронный базис дает более близкие к экспериментальным значения длин связей X-I и энтальпии реакций иодирования органических соединений при одинаковой адекватности в расчетах ИК колебаний связей X-I в сравнении с использованием псевдопотенциала. Полноэлектронный базис позволяет также адекватно рассчитывать величины констант квадрупольного взаимодействия атомов иода и в целом является более производительным по времени расчетов.
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять