ЭЛЕКТРОННОЕ СТРОЕНИЕ ПРИМЕСНОГО ЦЕНТРА УРАНА В ЦИРКОНЕ
М.В. Рыжков1, А.Л. Ивановский2, А.В. Поротников3, Ю.В. Щапова4, С.Л. Вотяков5
1 Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург, ryz@ihim.uran.ru
2 Институт химии твердого тела УрО РАН, Екатеринбург, ryz@ihim.uran.ru
3 Институт геологии и геохимии УрО РАН, Екатеринбург, ryz@ihim.uran.ru
4 Институт геологии и геохимии УрО РАН, Екатеринбург, ryz@ihim.uran.ru
5 Институт геологии и геохимии УрО РАН, Екатеринбург, ryz@ihim.uran.ru
Ключевые слова: кластерный расчет, релятивистские эффекты, химическая связь примеси U с матрицей ZrSiO4
Страницы: 215-220
Аннотация
С использованием полностью релятивистского кластерного метода ДВ исследовано электронное строение большого фрагмента кристаллической решетки циркона ZrSiO4 с примесным атомом урана, замещающим атом циркония. Результаты сопоставлены с аналогичным расчетом идеального кристалла ZrSiO4. Анализ заселенностей перекрывания и эффективных зарядов на атомах матрицы и примеси показал, что химическое связывание урана с окружением носит ковалентный характер, а перераспределение электронной плотности при таком замещении затрагивает не только примесь и ближайшее окружение, но и атомы следующих координационных сфер.
|
