Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Биологическое действие низкоинтенсивного лазерного излучения: пути регуляции растительного метаболизма. Ч. 2

2009 год, номер 1

СТРОЕНИЕ МОЛЕКУЛЫ тЕТРАКИС(ТРИХЛОРСИЛИЛ)МЕТАНА, С(SiCl3)4

Ю. С. Ежов1, С. А. Комаров2, Е. П. Симоненко3, Р. Г. Павелко4, В. Г. Севастьянов5, Н. Т. Кузнецов6
1 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН, ezhovyus@mail.ru
2 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН
3 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
4 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
5 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
6 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
Ключевые слова: газовая электронография, квантовая химия, тетракис(трихлорсилил)метан, строение молекул, внутреннее вращение
Страницы: 160-164

Аннотация

Методами квантовой химии и газовой электронографии (при температуре 303±5 K) определены параметры геометрической конфигурации тетракис(трихлорсилил)метана, С(SiCl3)4. Рассчитаны частоты колебательного спектра. Величина барьера внутреннего вращения групп SiCl3 относительно связи Si-С составляет 148,7 кДж/моль.