ИНФОРМАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗОБРАЖЕНИЯ МЕНИСКА КРИСТАЛЛА, ВЫРАЩИВАЕМОГО ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА
С. В. Михляев1, О. И. Потатуркин2 1 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, mikhlyaev@iae.nsk.su 2 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, potaturkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: выращивание кристаллов, мениск, параллакс, численное моделирование
Страницы: 35-48
Аннотация
Приведены данные компьютерного моделирования изображения мениска кристалла, выращиваемого из высокотемпературного расплава методом Чохральского. Исследуются тонкая структура изображения зоны кристаллообразования, формируемого оптической проекционной системой, и различные его составляющие, обусловленные собственным излучением нагревателя, расплава и кристалла, а также отражениями излучения от поверхностей расплава и кристалла. Анализируются причины возникновения параллакса изображения мениска, приводятся оценки его влияния на метрологические характеристики оптической системы контроля геометрии кристалла.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее