ИНФОРМАЦИОННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ИЗОБРАЖЕНИЯ МЕНИСКА КРИСТАЛЛА, ВЫРАЩИВАЕМОГО ИЗ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО РАСПЛАВА
С. В. Михляев1, О. И. Потатуркин2
1 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, mikhlyaev@iae.nsk.su 2 Институт автоматики и электрометрии СО РАН, potaturkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: выращивание кристаллов, мениск, параллакс, численное моделирование
Страницы: 35-48
Аннотация
Приведены данные компьютерного моделирования изображения мениска кристалла, выращиваемого из высокотемпературного расплава методом Чохральского. Исследуются тонкая структура изображения зоны кристаллообразования, формируемого оптической проекционной системой, и различные его составляющие, обусловленные собственным излучением нагревателя, расплава и кристалла, а также отражениями излучения от поверхностей расплава и кристалла. Анализируются причины возникновения параллакса изображения мениска, приводятся оценки его влияния на метрологические характеристики оптической системы контроля геометрии кристалла.
|