Электронно-энергетическая структура и рентгеновские спектры широкозонных полупроводников GaN, AlN и AlN – GaN
Илясов В.В., Жданова Т.П., Никифоров И.Я.
Донской государственный технический университет, Ростов-на-Дону
Ключевые слова: электронная энергетическая структура, нитриды, плотности электронных состояний, рентгеновские спектры
Страницы: 68-75
Подраздел: ИССЛЕДОВАНИЕ СТРОЕНИЯ МОЛЕКУЛ ФИЗИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ
Аннотация
Электронная энергетическая структура кристаллов GaN, AlN и AlGaN со структурой вюрцита рассчитана методом локального когерентного потенциала с использованием кластерной версии МТ-приближения в рамках теории многократного рассеяния. Рассчитанные плотности электронных состояний сопоставлены с XPS спектрами галлия и алюминия, AlLII, III XES, а также с K-спектрами поглощения галлия и AlLII, III XAFS. Проведено сравнение электронной структуры кристаллов AlxGa1–xN и бинарных GaN и AlN, дана интерпретация их особенностей. Изучена концентрационная зависимость ширины верхней подзоны валентной полосы и полосы запрещенной энергии в кристаллах AlxGa1–xN (x = 0, 0,25, 0,5, 0,75, 1) от содержания алюминия и показан ее нелинейный характер.
|
