Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 2880
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [PASSWORD_CHECK_WEAK] => N
                    [PASSWORD_CHECK_POLICY] => N
                    [PASSWORD_CHANGE_DAYS] => 0
                    [PASSWORD_UNIQUE_COUNT] => 0
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_TIME] => 0
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.141.106.74
    [SESS_TIME] => 1745319872
    [IS_EXPIRED] => 
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [SESS_SHOW_INCLUDE_TIME_EXEC] => 
    [fixed_session_id] => cf428a2b7bee665aa368d30d7c44937c
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2008 год, номер 1

ВОЛЬТ–АМПЕРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ДИОДОВ НА ОСНОВЕ СЛОЕВ HG0,78CD0,22TE, ПОЛУЧЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО–ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ

А. В. Ярцев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: jartsev@ngs.ru
Страницы: 39-46

Аннотация

Представлены результаты измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) диодов, пред-назначенных для приемников ИК-излучения с граничной длиной волны lc = 11 мкм, на основе варизонных слоев Hg0,78Cd0,22Te, полученных методом молекулярно-лучевой эпи-таксии на полуизолирующих подложках GaAs. Определено, что основными механизмами генерации носителей заряда при напряжении обратного смещения V1 < –0,2 В являются диффузионный ток и ток генерации в слое обеднения p–n-перехода. Показано, что хорошее совпадение расчетных и экспериментальных ВАХ достигается при учете понижения эффективной глубины залегания рекомбинационных уровней в слое обеднения вследствие эффекта Пула – Френкеля, а также при учете продольного растекания носителей заряда в диффузионной составляющей обратного тока.