Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 2880
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [PASSWORD_CHECK_WEAK] => N
                    [PASSWORD_CHECK_POLICY] => N
                    [PASSWORD_CHANGE_DAYS] => 0
                    [PASSWORD_UNIQUE_COUNT] => 0
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_TIME] => 0
                )

        )

    [SESS_IP] => 216.73.216.231
    [SESS_TIME] => 1748846599
    [IS_EXPIRED] => 
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [SESS_SHOW_INCLUDE_TIME_EXEC] => 
    [fixed_session_id] => 8484ebc51d5af2b40a7ba68f033fa5ce
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2007 год, номер 6

ОПРЕДЕЛЕНИЕ ОПТИЧЕСКИХ КОНСТАНТ МЛЭ–ПЛЕНОК GaAs n–ТИПА В СПЕКТРАЛЬНОМ ДИАПАЗОНЕ 1,50–4,75 эВ

С. Н. Свиташева
Институт физики полупроводников им А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
E-mail: Svitasheva@thermo.isp.nsc.ru
Страницы: 108-115

Аннотация

Показана возможность определения толщины и спектральной зависимости комплексного показателя преломления верхних слоев сложных тонкопленочных структур на основе арсенида галлия, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с помощью спектральной эллипсометрии – неразрушающего бесконтактного оптического метода – при использовании осцилляторной модели диэлектрической функции.