Главная – Журналы – Автометрия 2007 номер 5

Путем численного моделирования рассмотрена задача определения дозы облучения и энергии ионов при исследовании диэлектрических слоев SiO₂, имплантированных ионами Si⁺, методом спектральной эллипсометрии. Для решения поставленной задачи использовались одно-, двух- и трехслойные модели. Установлено, что для определения указанных характеристик имплантированных слоев, а также толщины диэлектрического слоя достаточно использовать двух- или трехслойное приближение. Дальнейшее усложнение модели не приводит к повышению точности, но усложняет процедуру поиска минимума целевой функции.