Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легируемых мышьяком in situ
Д. Ю. Протасов1, С. А. Дворецкий1, В. Я. Костюченко2, В. С. Крылов2, Н. Н. Михайлов1, Р. Н. Смирнов1
1Институт физики полупроводников СО РАН,
г. Новосибирск E-mail: protasov@thermo.isp.nsc.ru
2Сибирская государственная геодезическая академия, г. Новосибирск
Страницы: 86-92
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕМЕНТЫ И СИСТЕМЫ
Аннотация
Проведено исследование температурных зависимостей коэффициента Холла и магнитосопротивления гетероэпитаксиальных структур p-CdxHgx-1Te (КРТ) состава XCdTe = 0,22–0,23, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках (013)GaAs. С помощью методов многозонной подгонки и методом "спектра подвижности" получены основные электрофизические параметры: концентрация и подвижность электронов и дырок. Определено, что при температурах 125–165 К подвижность электронов в легированном мышьяком p-CdxHgx-1Te в 1,5–2 раза меньше, чем в p-CdxHgx-1Te, проводимость которого определяется вакансиями ртути. Однако за счет более высокого времени жизни длина диффузии электронов, рассчитанная по формуле Эйнштейна, в легированном мышьяком p-CdxHgx-1Te в 2–2.5 раза выше, чем в вакансионном. Уменьшение подвижности при легировании мышьяком, возможно, связано с появлением дополнительного рассеяния на нейтральных атомах As и ростовых дефектах.
|
