УПРАВЛЕНИЕ ПОГЛОЩЕНИЕМ МИКРОВОЛНОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ СТРУКТУРЕ СВЕРХПРОВОДНИК - СЕГНЕТОЭЛЕКТРИК
Э. Г. Косцов, В. Е. Истомин
(Новосибирск)
Страницы: 80-87 Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, <BR>ЭЛЕМЕНТЫ И СИСТЕМЫ
Аннотация
Проведено исследование эффекта поля в сверхпроводящей пленке YBa2Cu3O7 – x2– компоненте тонкопленочной структуры сегнетоэлектрик (PZT) – сверхпроводник, когда изменение величины поля в приповерхностном слое этой пленки осуществлялось переключением состояния поляризации в PZT, а регистрация изменений ее микроволнового поглощения – измерением электронно-парамагнитного резонансного (ЭПР) сигнала от пленки, находящейся в сверхпроводящем состоянии. Обнаружен аномально высокий уровень модуляции в структуре ЭПР-сигнала (свыше 15 раз) переключением направления поляризации в пленке PZT. Это дает основание полагать, что эффект определяется перераспределением под действием электрического поля в приповерхностном слое сверхпроводника подсистемы сверхпроводящих носителей заряда и их концентрации, которые и изменяют характер резонансного поглощения СВЧ-энергии.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее