ОБРАЗОВАНИЕ ПАР БЛИЗКИХ ДЕФЕКТОВ В АКТИВИРОВАННЫХ ЩЕЛОЧНО-ГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ ПОД ДЕЙСТВИЕМ УФ-СВЕТА ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
И. К. Плявинь, М. Ф. Тринклер
(Рига, Латвия)
Страницы: 107–120
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕМЕНТЫ И СИСТЕМЫ
Аннотация
Сравнивается действие двух спектральных областей УФ-света с точки зрения физики дефектообразования и практического использования созданных дефектов для регистрации изображения. Создается локальное околоактиваторное возбуждение аниона в одной из областей УФ-света в D2-полосе поглощения. Это возбуждение на конечном этапе преобразования приводит к созданию пар близких дефектов (A2+… кi0), где активаторный дырочный центр (A2+) образуется при ионизации активатора (A+), вблизи которого был поглощен D2-квант света. Электронные центры кi0 возникают в процессе, когда инициированные A2+-центрами мелкие ловушки заполняются электронами от упомянутого ионизованного активатора. В другой области УФ-облучения (полосе поглощения 1s экситона) в регулярной решетке рождается экситонное возбуждение, которое в момент образования не связано ни с активатором, ни с активаторным дырочным центром. Однако в результате перемещения и релаксации и это возбуждение создает пары близких дефектов (A2+…F) на базе уже имеющихся в кристалле A2+-центров. За создание пар (A2+…F) ответственными, вероятно, являются экситонные поляритоны. Пары близких дефектов (A2+…кi0), (A2+…F) могут быть использованы для обработки изображений методом фотостимулированной люминесценции, каждый тип пар дает отличающиеся характеристики.
|
