Главная – Журналы – Автометрия 2003 номер 5

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 2880
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [PASSWORD_CHECK_WEAK] => N
                    [PASSWORD_CHECK_POLICY] => N
                    [PASSWORD_CHANGE_DAYS] => 0
                    [PASSWORD_UNIQUE_COUNT] => 0
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [BLOCK_TIME] => 0
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.119.116.139
    [SESS_TIME] => 1743465431
    [IS_EXPIRED] => 
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [SESS_SHOW_INCLUDE_TIME_EXEC] => 
    [fixed_session_id] => 0fc1ff7b23b9444209845365cfe7cb6b
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

    [SESS_OPERATIONS] => Array
        (
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2003 год, номер 5

НЕЛИНЕЙНО-ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ЛОКАЛЬНОГО ЭКСПРЕСС-КОНТРОЛЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КАЧЕСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ П. Е. Бережная, М. Ф. Ступак (Новосибирск) Страницы: 128–134 Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕМЕНТЫ И СИСТЕМЫ Аннотация Используется эффект генерации второй гармоники зондирующего лазерного излучения для экспрессного, локального, неразрушающего контроля количественных и качественных кристаллических характеристик материалов. Представлены технические характеристики и описаны возможности автоматизированной лазерной системы выходного контроля кристаллических параметров полупроводниковых материалов. Данная система позволяет в течение нескольких минут определить ориентацию кристаллографических осей с погрешностью 0,1o в локальных приповерхностных областях (диаметром 100 мкм, глубиной 0,1–1,0 мкм), выявить наличие локальных напряжений, создать карты и микрокарты кристаллического качества поверхности и оптического качества объема тестируемых материалов (время картирования 15 мин). Скачать pdf-версию статьи