Главная – Журналы – Геология и геофизика 2002 номер 10

Процессы кристаллизации алмаза и особенности фазообразования в системах K₂CO₃-C, К₂СO₃-SiO₂-C и K₂CO₃-Mg₂SiO₄-C изучены при 6,3 ГПа, 1650 °C и длительности 40 ч на многопуансонном аппарате "разрезная сфера" (БАРС). В качестве переменного параметра были выбраны соотношения SiO₂/К2₂СO₃ и Mg₂SiO₄/К₂СO₃. Определены зависимости степени превращения графита в алмаз и скорости роста алмаза на затравках от соотношения SiO₂/К₂СO₃ и Mg₂SiO₄/К₂СO₃. Выявлены области составов, в которых реализуется спонтанная нуклеация алмаза и рост алмаза на затравках. Установлено, что при увеличении концентрации кремнезема в системе К₂СO₃-SiO₂-C и форстерита в системе K₂CO₃-Mg₂SiO₄-C до 10 мас.% интенсивность алмазообразования возрастает, а при дальнейшем повышении содержания SiO₂ или Mg₂SiO₄ постепенно понижается вплоть до полного прекращения спонтанной нуклеации, а затем и роста алмаза на затравках. Реализованы условия, в которых алмаз кристаллизовался из калиевого карбонат-силикатного расплава, включающего основные компоненты глубинных ультракалиевых расплавов-флюидов, совместно с коэситом в системе K₂CO₃-SiO₂-C и форстеритом в системе K₂CO₃-Mg₂SiO₄-C.